不用美国技术 这家民族品牌自己设计内存
近日按照内部人士流露，国产半导体领军企业长鑫存储为了应答今朝的国际场面地步已从新设计DRAM芯片，以尽可能削减对美国原产技能的利用。据爆料，长鑫存储其出产中会利用到美国的半导体装备但从新设计可以或许低落台中搬家,威逼，防止涉及美国的常识产权，以是才投入巨资起头从新设计DRAM芯片。
长鑫存储董事长兼CEO朱一明客岁10月曾前去欧洲，与欧洲最大的半导体装备供给商ASML商谈互助，并拜候了比利时的IMEC，这是一家专注于纳雙眼皮,米电子和数字技能的创始性钻研机构。因而可知，长鑫正在追求美国之外的供给商的支撑。
按照长鑫存储的计划，将在2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年末，产能到达2万片/月，从2020年起头，起头计划二厂，2021年完成17nm研发。
固然长鑫存储今朝的产能依然较小，但对付今朝彻底没法便宜DRAM的中国大陆来讲，倒是一大冲破，DRAM技能延续投入研发跨越25亿美元，其实不断完美本身研发技能，今朝已积累有1万6千个专利申请。
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